SATRI-KIT KIT-1001で作る10Wモノラル回路(2/2)

初掲載2004.8.17
更新2004.10.30

このページでは完成した基板の説明をします。

作成した回路の回路図です（2004.10.30に半固定抵抗VR4,VR5の値を修正）。クリックすると拡大されます。
もちろん何の保証もありません。
高価なSATRI-IC V5.1（定電流IC）は使っていません。
その代わりに定電流ダイオードCRD2 E-152を付けています。
※この回路は後に改良されます。

完成した基板の部品面です。
パワーFETはケースに入れるときに接続するので付けていません。

完成した基板のハンダ面です。

入力回路の拡大です。
SATRI-ICは入力インピーダンスが10Ω以下なので、FETのソースフォロワ回路でインピーダンス変換します。
入力インピーダンスはR1 47Kになります。

DCサーボ回路の拡大です。
回路図のオペアンプOP1の周辺です。
DCサーボは出力の直流成分を消すための回路です。
OPアンプを使ったアクティブLPFと思われます。

電源安定化回路（Q3とQ6）の拡大です。電源を約+-13Vに安定化します。
写真はQ6 2SA1358の周辺です。
出力段以外、つまり入力段、増幅段、DCサーボはこの回路によって安定化された電源を使います。
Q3,Q6にはコレクタ損失の大きなトランジスタを選択する必要があります。
15Vrmsのトランスを使う予定ですので、最高21.2Vの電圧がかかります。
つまり、最大21.2V-13V = 8.2Vの電位差がコレクタにかかります。
例えば、電流が100mA流れるとすると、最大コレクタ損失は8.2×0.1 = 0.82Wとかなり大きな値になります。
2SA1358は最大コレクタ損失が1.5Wあるので問題ありません。
実測したところ電流の実測値は25mA程度ですので、実際には過剰スペックですが余裕を持つように設計するべきでしょう。

出力回路のコンデンサC36,C37は東信工業1000uF 50V(１ＨＵＴＷＲＺ１０２Ｍ)を使用。
低インピーダンスの電解コンデンサです。

以上で基板の説明は終わりです。

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半固定抵抗の交換（2004年10月16日追記）

半固定抵抗にカーボン皮膜の安物を使っていたので、金属皮膜の半固定抵抗に交換することにしました。

NEC ネオポット PN822。
タンタル薄膜抵抗体を使った半固定抵抗です。
若松通商本社ビル3Fで一個210円で購入しました。
写真には100Ωと1KΩが写っていますが、最終的には2KΩのものを付けることになりました。

今回はスルーホール基板ということもあって、手動半田吸い取り機で部品を外すのは困難です。
下手すると高価な基板を壊してしまいます。
そこで、HAKKO 808という電動半田除去装置を新たに購入しました。
HAKKO 808は秋葉原で25000円程度で販売されています。

このように綺麗に取り外すことができました。
部品を外すときは、部品が自然に外れるまで半田を完全に吸引する必要があります。
無理に部品を外すとスルーホールが壊れてしまいます。

安物のカーボン皮膜半固定抵抗を金属皮膜のものに交換できました。

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